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SSM3J56ACT,L3F
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.4A
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- 描述
- 特性：1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(@VGS = -1.2V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J56ACT,L3F
- 商品编号
- C146297
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品特性
- 1.2V驱动
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 390mΩ(最大值)(VGS = -4.5V时)
- RDS(ON) = 480mΩ(最大值)(VGS = -2.5V时)
- RDS(ON) = 660mΩ(最大值)(VGS = -1.8V时)
- RDS(ON) = 900mΩ(最大值)(平均值 = -1.5V时)
- RDS(ON) = 4000mΩ(最大值)(VGS = -1.2V时)
应用领域
- 高速开关