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SSM3J133TU,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
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- 描述
- 特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.8mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 重量：6.6mg（典型值）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J133TU,LF
- 商品编号
- C146299
- 商品封装
- 2-2U1A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88.4mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 1.5V驱动
- 低导通电阻:RDS(ON) = 88.4 m Ω(最大值)(@VGS = -1.5 V)
- RDS(ON) = 56.0 m Ω(最大值)(@VGS = - 1.8 V)
- RDS(ON) = 39.7 m Ω(最大值)(@VGS = - 2.5 V)
- RDS(ON) = 29.8 m Ω(最大值)(@VGS = - 4.5 V)
应用领域
- 电源管理开关应用