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SI1302DL-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.64A
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- 描述
- N沟道,30V,0.6A,0.7Ω@4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1302DL-T1-E3
- 商品编号
- C146285
- 商品封装
- SC-70-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 640mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V,0.53A | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
本技术说明讨论了采用SC-70封装的单通道LITTLE FOOT功率MOSFET的引脚排列、封装外形、焊盘图案、评估板布局和热性能。这些新器件适用于需要小型化封装且需切换低电流（约350mA）的小信号应用，可直接切换或采用电平转换配置。这些单通道器件具有一系列导通电阻规格，有传统的3引脚和新型的6引脚版本。与3引脚封装相比，新型6引脚SC-70封装可实现更低的导通电阻值和更好的热性能。
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC