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SQD90P04-9m4L_GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:90A
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- 描述
- P沟道,-40V,-90A, 0.0094Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD90P04-9m4L_GE3
- 商品编号
- C146438
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.8mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.675nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 855pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 852pF |
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤