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SSM3K56MFV,L3F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM3K56MFV,L3F

1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA

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描述
特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用:高速开关
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM3K56MFV,L3F
商品编号
C146288
商品封装
SOT-723​
包装方式
编带
商品毛重
0.013克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on))840mΩ@1.5V
耗散功率(Pd)500mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@1mA
栅极电荷量(Qg)1nC@4.5V
输入电容(Ciss)55pF@10V
反向传输电容(Crss)8pF
类型N沟道
输出电容(Coss)16pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 7.2

    购买数量

    (8000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个8000个/圆盘

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