SSM3K56MFV,L3F
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用:高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K56MFV,L3F
- 商品编号
- C146288
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 840mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 55pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
优惠活动
购买数量
(8000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个8000个/圆盘
总价金额:
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