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SI7116DN-T1-E3
1个N沟道 耐压:40V 电流:16.4A
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- 描述
- N沟道,40V,10.5A,0.0078Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7116DN-T1-E3
- 商品编号
- C146434
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V,14.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
N沟道40V（D-S）快速开关MOSFET
商品特性
- 提供无卤选项
- TrenchFET功率MOSFET
- 采用新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07mm
- 针对PWM优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 同步整流-中间开关-同步降压
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