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SI7386DP-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:19A
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- 描述
- N沟道,30V,12A,0.007Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7386DP-T1-E3
- 商品编号
- C146283
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 提供无卤版本
- TrenchFET第二代功率MOSFET
- 针对高效率进行PWM优化
- 采用新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07 mm
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 用于PC的DC/DC转换