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TPH1R712MD,L1Q
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)。 低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -20V)。 增强模式：VDA = -0.5 至 -1.2V (VDS = -10V, ID = -1.0 mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH1R712MD,L1Q
- 商品编号
- C141596
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 182nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=1.35 mΩ（典型值）（VGS = 4.5 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = -20 V）
- 增强模式：Vth = -0.5 至 1.2 V（ΔVDS = -10 ΔV，ID = -1.0 mA）
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