SIP32431DR3-T1GE3

SiP32431是一款具有反向阻断能力的超低泄漏和静态电流、压摆率可控的高端开关。该开关采用低导通电阻的p沟道MOSFET，支持高达1 A的连续电流。 SiP32431的输入电压范围为1.5 V至5.5 V。 SiP32431的特点是输入逻辑电平低，可与微处理器的低控制电压接口。该器件的工作电流极低，在3.3 V电源下典型值为10 pA。 SiP32431提供无铅封装选项，包括6引脚SC70 - 6和4引脚TDFN4 1.2 mm×1.6 mm DFN4封装。工作温度范围为 -40 ℃至 +85 ℃。 SiP32431紧凑的封装选项、工作电压范围和低工作电流使其非常适合电池供电应用。 SiP32431是一款p沟道MOSFET功率开关，专为高端压摆率可控的负载开关应用而设计。一旦开启，压摆率控制电路将被激活，电流以线性方式上升，直至达到输出负载条件所需的水平。这是通过首先将MOSFET的栅极电压提升至其阈值电压，然后线性增加栅极电压，直到MOSFET完全增强来实现的。此时，栅极电压迅速升至全输入电压，以降低MOSFET开关的RDS(on)并最小化相关的功率损耗。

• 输入电压范围：1.5 V至5.5 V
• 无需偏置电源轨
• 低导通电阻RDS(on)：对于TDFN4 1.2 mm×1.6 mm封装，在5 V时典型值为105 mΩ，在3 V时为135 mΩ
• 对于SC70 - 6封装，在5 V时典型值为147 mΩ，在3 V时为178 mΩ
• 压摆率可控的开启时间：100 μs
• 超低泄漏和静态电流：
  • VIN静态电流 = 0.01 nA
  • VIN关断泄漏电流 = 0.20 nA
• 反向阻断能力
• SC70 - 6和TDFN4 1.2 mm×1.6 mm封装

• 无线传感器网络
• 智能电表
• 可穿戴设备
• 物联网
• 便携式医疗设备
• 安全系统
• 电池供电设备
• 便携式仪器