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SUD50P04-09L-E3
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD50P04-09L-E3
- 商品编号
- C141626
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 沟槽型场效应功率MOSFET
- 175 °C结温
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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