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SIA906EDJ-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIA906EDJ-T1-GE3

2个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21。TrenchFET 功率 MOSFET。新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装。小尺寸。低导通电阻。典型 ESD 保护 560 V。应用:便携式应用负载开关。高频 DC/DC 转换器
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA906EDJ-T1-GE3
商品编号
C142544
商品封装
WSON-6-EP(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
5.45克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))63mΩ@2.5V,4.5A
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)350pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF