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SI7220DN-T1-E3

2个N沟道耐压:60V 电流:4.8A

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描述: 特性：无卤（符合IEC 61249-2-21标准）。 TrenchFET功率MOSFET。新型低热阻PowerPAK封装，占用空间仅为SO-8的1/3，热性能相当。应用：同步整流。初级侧开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7220DN-T1-E3
商品编号: C142590
商品封装: DFN-8(3.1x3.1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.176克(g)

商品参数

商品概述

采用PowerPAK 1212-8封装的双N沟道60 V（D-S）MOSFET。PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的派生产品，采用相同的封装技术以最大化芯片面积。芯片附着焊盘底部外露，可直接为基板提供低电阻散热路径。其占位面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。散热性能比SO-8高一个数量级，比TSSOP-8高20倍，且可利用任何PCB板散热器的散热能力。与TSSOP-8相比，降低结温还可使芯片效率提高约20%。单通道和双通道版本的引脚排列与单通道和双通道PowerPAK SO-8相同，1.05 mm的低矮外形使其适用于空间受限的应用。

商品特性

符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品可供选择
TrenchFET功率MOSFET
新型低热阻PowerPAK封装,占用空间为SO-8的1/3,散热性能相当
符合RoHS标准
有无卤产品可供选择

应用领域

-同步整流-初级侧开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	4.8A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	2.6W
	阈值电压(Vgs(th))	3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	20nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-