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SI7308DN-T1-E3

1个N沟道耐压:60V 电流:6A

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描述: N沟道,60V,6A,0.058Ω@10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7308DN-T1-E3
商品编号: C142619
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.176克(g)

商品参数

商品概述

N-Channel MOSFET，PowerPAK 1212-8提供了一种小尺寸封装的超低热阻抗解决方案，非常适合空间受限的应用。它是PowerPAK SO-8的派生产品，采用相同的封装技术，最大化了芯片面积。芯片贴装焊盘底部暴露，为安装器件的基板提供了直接、低电阻的热路径。PowerPAK 1212-8将PowerPAK SO-8的优势转化为更小的封装，具有相同水平的热性能。

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	72mΩ@4.5V,4.8A
	耗散功率(Pd)	19.8W
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	20nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-