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SQD19P06-60L_GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。TrenchFET 功率 MOSFET 封装，热阻低。100% Rg 和 UIS 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。AEC-Q101 合格
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD19P06-60L_GE3
- 商品编号
- C143665
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 采用低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 通过 AEC-Q101 认证
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