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SIA436DJ-T1-GE3
1个N沟道 耐压:8V 电流:12A
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 81249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 占用面积小。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式应用的负载开关，如智能手机、平板电脑和移动计算设备。 低电压栅极驱动
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA436DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C143722
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@1.2V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.508nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 321pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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