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SI8424CDB-T1-E1

1个N沟道耐压:8V 电流:6.3A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI8424CDB-T1-E1
商品编号: C143740
商品封装: UFBGA-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.133克(g)

商品参数

商品概述

N沟道8V（漏源极）MOSFET采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）技术，实现了焊球工艺，无需外部封装来包裹硅芯片。对于电池供电的紧凑型设备，这种新的封装技术减少了电路板空间需求，提高了热性能，并减轻了有引脚封装产品典型的寄生效应。该产品可使用与封装表面贴装器件大批量组装相同的工艺技术进行处理，在不使用底部填充的情况下也能实现可靠性能。其小尺寸和短热路径的优势使其成为便携式设备等空间受限应用的理想选择。

商品特性

沟槽式功率MOSFET
低导通电阻
最大外形尺寸仅1.6mm x 1.6mm
最大高度仅0.6mm
符合RoHS标准
无卤素

应用领域

-移动计算、智能手机、平板电脑-负载开关-低压降开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	8V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	45mΩ@1.2V
	耗散功率(Pd)	2.7W
	阈值电压(Vgs(th))	800mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	40nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-