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SI3410DV-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3410DV-T1-GE3
- 商品编号
- C143759
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑负载开关
- 低电流直流-直流转换
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