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SI1029X-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:305mA 电流:190mA
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- 描述
- 特性：无铅无卤，符合 IEC 61249-2 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 占位面积非常小。 高端开关。 低导通电阻：N 沟道 1.40 Ω，P 沟道 4 Ω。 低阈值：±2 V（典型值）。应用：替代数字晶体管、电平转换器。 电池供电系统
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1029X-T1-GE3
- 商品编号
- C144890
- 商品封装
- SC-89-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4.5V,25mA | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 占用空间极小
- 高端开关
- 低导通电阻：N 沟道 1.40 Ω，P 沟道 4 Ω
- 低阈值：±2 V（典型值）
- 快速开关速度：15 ns（典型值）
- 栅源极静电放电（ESD）保护：2000 V
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 替代数字晶体管、电平转换器-电池供电系统-电源转换电路
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