温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLD014PBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式，可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装面的热连接，功率耗散水平可达1 W
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLD014PBF
- 商品编号
- C144931
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.663克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式，可在标准0.1英寸引脚中心以多种组合方式堆叠。双漏极用作与安装表面的热连接，功率耗散水平可达1 W。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 适用于自动插入
- 端部可堆叠
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 工作温度可达175 °C
- 快速开关
- 符合RoHS指令2002/95/EC
相似推荐
其他推荐
- SI4447DY-T1-E3
- SI2307BDS-T1-GE3
- SISA18ADN-T1-GE3
- SQ3427AEEV-T1_GE3
- SI5513CDC-T1-E3
- SI5419DU-T1-GE3
- SI3464DV-T1-GE3
- SI7812DN-T1-E3
- SIA445EDJ-T1-GE3
- SUD09P10-195-GE3
- SIRA18DP-T1-GE3
- SQ2325ES-T1_GE3
- IRFIBE30GPBF
- SI7336ADP-T1-GE3
- IRFR310TRPBF
- IRL620PBF
- SI4835DDY-T1-GE3
- SQJ158EP-T1_GE3
- IRF9Z30PBF
- SI7415DN-T1-GE3
- SI7216DN-T1-GE3