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IRF9Z30PBF

1个P沟道耐压:50V 电流:18A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF9Z30PBF
商品编号: C144987
商品封装: ITO-220AB-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.5克(g)

商品参数

商品概述

功率MOSFET技术是威世（Vishay）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 P沟道功率MOSFET专为需要反极性操作便利性的应用而设计。它们保留了更常见的N沟道功率MOSFET的所有特性，如电压控制、快速开关、易于并联和出色的温度稳定性。 P沟道功率MOSFET适用于功率级电路，与N沟道器件的互补对称性可简化电路设计。由于反极性连接提供的电路灵活性，它们在驱动级电路中也非常有用。应用包括电机控制、音频放大器、开关模式转换器、控制电路和脉冲放大器。

商品特性

P沟道多功能性
紧凑型塑料封装
快速开关
低驱动电流
易于并联
出色的温度稳定性

应用领域

电机控制
音频放大器
开关模式转换器
控制电路
脉冲放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	50V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	140mΩ@10V,9.3A
	耗散功率(Pd)	74W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	39nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	-