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IRFIBE30GPBF

1个N沟道耐压:800V 电流:2.1A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFIBE30GPBF
商品编号: C144967
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 3.8克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业和工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。

商品特性

隔离封装
高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
动态dV/dt额定值
低热阻
有无铅产品可供选择

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	2.1A
	导通电阻(RDS(on))	3Ω@10V
	耗散功率(Pd)	35W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	78nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.3nF
	反向传输电容(Crss)	190pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	310pF