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SI3932DV-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:3.7A
- 描述
- 双N沟道,30V,3.7A,0.058Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3932DV-T1-GE3
- 商品编号
- C145237
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
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