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IRLD110PBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:1A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插装外壳样式，可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装面的热连接，功率耗散最高可达1 W
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLD110PBF
- 商品编号
- C145272
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.663克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5V,0.60A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
LND150是一款高压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用了Superox的横向DMOS技术。栅极具备ESD保护功能。 LND150非常适合用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等领域的高压应用。
商品特性
-无二次击穿现象-低功率驱动要求-易于并联-出色的热稳定性-集成源漏二极管-高输入阻抗和低输入电容(Ciss)-ESD栅极保护
应用领域
-固态继电器-常开开关-转换器-电源电路-恒流源-输入保护电路
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