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IRFS11N50APBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:11A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷Qg导致简单的驱动要求。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 完全表征了电容、雪崩电压和电流。 指定了有效的Css。应用：开关模式电源（SMPS）。 不间断电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFS11N50APBF
- 商品编号
- C145301
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 208pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺专门用于最小化导通电阻并保持出色的开关性能。
商品特性
- 低栅极电荷 Qg ,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 明确规定了有效输出电容 Coss
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关
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