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IRFS11N50APBF实物图
  • IRFS11N50APBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFS11N50APBF

1个N沟道 耐压:500V 电流:11A

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描述
特性:低栅极电荷Qg导致简单的驱动要求。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 完全表征了电容、雪崩电压和电流。 指定了有效的Css。应用:开关模式电源(SMPS)。 不间断电源
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFS11N50APBF
商品编号
C145301
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
管装
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))520mΩ@10V,6.6A
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)1.423nF
反向传输电容(Crss)8.1pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)208pF

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