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SI7216DN-T1-E3实物图
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SI7216DN-T1-E3

2个N沟道 耐压:40V 电流:6A

描述
双N沟道,40V,6A,0.032Ω@10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7216DN-T1-E3
商品编号
C145429
商品封装
PDFNWB-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))39mΩ@4.5V,4A
耗散功率(Pd)5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)670pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-50℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

数据手册PDF

交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 15 个)
起订量:15 个3000个/圆盘

总价金额:

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