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SI4386DY-T1-E3
N沟道,电流:20A,耐压:30V
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- 描述
- N沟道,30V,11A,0.007Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4386DY-T1-E3
- 商品编号
- C145472
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 第二代TrenchFET功率MOSFET
- 针对PWM优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 用于PC的DC/DC转换
- N沟道MOSFET