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SIHD12N50E-GE3
1个N沟道 耐压:500V 电流:6.6A
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- 描述
- N沟道,550V,10.5A,0.38Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD12N50E-GE3
- 商品编号
- C145460
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 886pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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