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SI3443CDV-T1-GE3实物图
SI3443CDV-T1-GE3商品缩略图
SI3443CDV-T1-GE3商品缩略图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI3443CDV-T1-GE3

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A

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描述
P沟道,-20V,-5.97A,0.06Ω@-4.5V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI3443CDV-T1-GE3
商品编号
C145343
商品封装
TSOP-6-1.5mm
包装方式
编带
商品毛重
0.07克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.7A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@4.5V,4.7A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)7.53nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)610pF@10V
反向传输电容(Crss)105pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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