MC33151DG
高速双MOSFET驱动器
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- 描述
- MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器,针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响,还有两路高电流图腾柱输出,极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定,以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC33151DG
- 商品编号
- C145352
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 6V~18V | |
| 上升时间(tr) | 31ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | 35ns | |
| 传播延迟 tpHL | 36ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.75V~2.6V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.58V | |
| 静态电流(Iq) | 6mA |
商品概述
MC34151是一款双反相高速驱动器,专为低电流数字电路与功率MOSFET接口而设计。该器件采用肖特基钳位双极模拟技术制造,能在恶劣的工业环境中提供高性能和高耐用性。
商品特性
- 两个独立通道,图腾柱输出电流为1.5 A
- 带1000 pF负载时,输出上升和下降时间为15 ns
- 具有迟滞特性的CMOS/LSTTL兼容输入
- 带迟滞特性的欠压锁定
- 低待机电流,高效高频运行
- 与通用开关稳压器控制IC配合使用可提升系统性能
- 引脚排列与DS0026和MMH0026等效
- 这些器件为无铅、无卤器件
应用领域
- 开关电源
- 直流到直流转换器
- 电容电荷泵倍压器/反相器
- 电机控制器
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