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SQ2318AES-T1_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- N沟道,40V,8A,0.031Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2318AES-T1_GE3
- 商品编号
- C145326
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V,7.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
最新价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥1.23396￥1.23
500+￥1.13904￥1.14
3000+￥1.063104￥1.06
10000+￥1.04412￥1.04
库存总量
(单位：个)交货周期
订货15-17个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交56单
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