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SI4464DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:200V 电流:1.7A
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- 描述
- N沟道,200V,1.7A,0.24Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4464DY-T1-E3
- 商品编号
- C145336
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V,2.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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