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SI7309DN-T1-E3

1个P沟道耐压:60V 电流:8A

描述: P沟道,-60V,-8A,0.115Ω@-10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7309DN-T1-E3
商品编号: C145316
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.176克(g)

商品参数

商品概述

P沟道60V（D-S）MOSFET，采用PowerPAK 1212-8封装。PowerPAK是一种新型封装技术，PowerPAK 1212-8在小尺寸封装中提供超低热阻，适用于空间受限的应用。它是PowerPAK SO - 8的衍生产品，采用相同的封装技术，最大化芯片面积，芯片附着垫底部外露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO - 8的优势融入更小的封装中，具备相同水平的热性能。其占地面积与TSOP - 6相当，比标准TSSOP - 8小40%以上，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8高一个数量级，比TSSOP - 8好20倍，能利用任何PC板散热器的能力，与TSSOP - 8相比，可降低结温，使芯片效率提高约20%。

商品特性

符合IEC 61249-2-21的无卤产品可供选择
TrenchFET功率MOSFET
低热阻PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07mm

应用领域

冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
D类放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	146mΩ@4.5V,8A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	3V@0.25mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	22nC@10V
	输入电容(Ciss)	600pF
	反向传输电容(Crss)	50pF
	工作温度	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	70pF