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SI8816EDB-T2-E1实物图
SI8816EDB-T2-E1商品缩略图
SI8816EDB-T2-E1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI8816EDB-T2-E1

1个N沟道 耐压:30V 电流:2.3A

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描述
N沟道
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI8816EDB-T2-E1
商品编号
C145320
商品封装
BGA-4
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))142mΩ@2.5V,2A
耗散功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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