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SI8816EDB-T2-E1
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.3A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8816EDB-T2-E1
- 商品编号
- C145320
- 商品封装
- BGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 超小外形尺寸,仅0.8 mm x 0.8 mm
- 超薄设计,最大高度仅0.4 mm
- 典型ESD保护能力达1700 V(HBM)
应用领域
- 负载开关
- 过压保护(OVP)开关
- 高速开关
- DC/DC转换器
- 适用于智能手机、平板电脑和移动计算设备
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