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SI4154DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:36A
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- 描述
- N沟道,40V,36A,0.0033Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4154DY-T1-GE3
- 商品编号
- C145302
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义无卤
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载点(POL)
- 同步整流
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