SI4154DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:36A
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- 描述
- N沟道,40V,36A,0.0033Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4154DY-T1-GE3
- 商品编号
- C145302
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 36A | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,33A | |
耗散功率(Pd) | 5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 32.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.23nF@20V | |
反向传输电容(Crss) | 220pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
2500+¥5.001844¥12504.61
库存总量
(单位:个)交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 2500 个 )个
起订量:2500 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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