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SI4154DY-T1-GE3实物图
SI4154DY-T1-GE3商品缩略图
SI4154DY-T1-GE3商品缩略图
SI4154DY-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

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SI4154DY-T1-GE3

1个N沟道 耐压:40V 电流:36A

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描述
N沟道,40V,36A,0.0033Ω@10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4154DY-T1-GE3
商品编号
C145302
商品封装
SOIC-8
包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@10V,33A
耗散功率(Pd)5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)32.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.23nF@20V
反向传输电容(Crss)220pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

梯度价格

梯度
售价
折合1圆盘
2500+¥5.001844¥12504.61

库存总量

(单位:个)
库存: 7,500

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 2500 个 )
起订量:2500 个2500个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交2单

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