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SI8810EDB-T2-E1
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.9A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8810EDB-T2-E1
- 商品编号
- C145308
- 商品封装
- BGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 245pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥2.4
10+￥2.35
30+￥2.32
100+￥2.29￥6870
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起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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