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SI1062X-T1-GE3实物图
SI1062X-T1-GE3商品缩略图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1062X-T1-GE3

1个N沟道 耐压:20V 电流:530mA

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描述
N沟道,20V,0.53A,0.762Ω@1.5V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1062X-T1-GE3
商品编号
C145292
商品封装
SC-89
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)530mA
导通电阻(RDS(on))762mΩ@1.5V,0.05A
耗散功率(Pd)220mW
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.7nC@8V
输入电容(Ciss)43pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)14pF

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折合1圆盘
3000+￥1.170533￥3511.6

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