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SI1062X-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:530mA
- 描述
- N沟道,20V,0.53A,0.762Ω@1.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1062X-T1-GE3
- 商品编号
- C145292
- 商品封装
- SC-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 530mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 762mΩ@1.5V,0.05A | |
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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