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SIR640ADP-T1-GE3

1个N沟道耐压:40V 电流:41.6A 电流:100A

描述: N沟道,40V,100A,0.002Ω@10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIR640ADP-T1-GE3
商品编号: C145300
商品封装: PowerPAK-SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.125克(g)

商品参数

商品概述

N沟道40 V（D - S）MOSFET。TrenchFET功率MOSFET，可用于同步整流、DC/DC转换器、DC/AC逆变器。PowerPAK是围绕SO - 8封装开发的新型封装技术，PowerPAK SO - 8与标准SO - 8具有相同的占位面积和引脚输出，可直接替代标准SO - 8封装。作为无引脚封装，PowerPAK SO - 8利用整个SO - 8占位面积，能容纳比标准SO - 8更大的芯片。芯片附着垫底部暴露，可提供直接、低电阻的热路径到设备安装的基板，且封装高度低于标准SO - 8，适合空间受限的应用。

商品特性

TrenchFET功率MOSFET
低Qg,效率高
100%进行Rg和UIS测试

应用领域

-同步整流-DC/DC转换器-DC/AC逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	2.5mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	104W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	90nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-