温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR640ADP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:41.6A 电流:100A
- 描述
- N沟道,40V,100A,0.002Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR640ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C145300
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐