SQ1912EH-T1_GE3
2个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SQ1912EH-T1_GE3商品编号
C145297商品封装
SC-70-6(SOT-363)包装方式
编带
商品毛重
0.05克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 800mA | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 280mΩ@4.5V,1.2A | |
功率(Pd) | 500mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.15nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 75pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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