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SQ1912EH-T1_GE3
2个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg测试。 材料分类：有关合规性定义请参考相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ1912EH-T1_GE3
- 商品编号
- C145297
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 760pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
采用铜引脚框架的新型双6引脚SC - 70封装与现有的采用Alloy 42引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更出色的热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件具有多种导通电阻值，有N沟道和P沟道版本。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC - Q101认证
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
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