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SI1416EDH-T1-GE3实物图
SI1416EDH-T1-GE3商品缩略图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI1416EDH-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:3.9A

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描述
N沟道,30V,3.9A,0.058Ω@10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1416EDH-T1-GE3
商品编号
C145287
商品封装
SC-70-6(SOT-363)
包装方式
编带
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.9A
导通电阻(RDS(on))58mΩ@10V,3.9A
耗散功率(Pd)1.56W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)3.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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梯度
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50+¥1.738
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