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SI1034CX-T1-GE3
2个N沟道 耐压:20V 电流:0.61A
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- 描述
- 双N沟道,20V,0.61A,0.76Ω@1.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1034CX-T1-GE3
- 商品编号
- C145239
- 商品封装
- SC-89-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 610mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 760mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 栅源极静电放电(ESD)保护:1000 V
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-便携式设备的负载/电源开关-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器-电池供电系统-电源转换电路
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