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SIS413DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- P沟道,-30V,-18A,0.0094Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS413DN-T1-GE3
- 商品编号
- C145006
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.2mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 382pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 427pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 适配器开关
- 负载开关
- 电源管理
- 移动计算
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