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SI4936CDY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:5A
- 描述
- 双N沟道,30V,5.8A, 0.04Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4936CDY-T1-GE3
- 商品编号
- C145000
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
应用领域
- 低电流 DC/DC 转换
- 笔记本电脑系统电源
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