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SI1032R-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:140mA
- 描述
- N沟道,20V,140mA,10Ω@1.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1032R-T1-GE3
- 商品编号
- C145209
- 商品封装
- SC-75A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低端开关
- 低导通电阻:5 Ω
- 低阈值:0.9 V(典型值)
- 快速开关速度:35 ns
- 沟道型功率 MOSFET:额定电压 1.5 V
- 2000 V 静电放电保护
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机
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