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SI5513CDC-T1-GE3
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:49A
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- 描述
- N沟道+P沟道
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5513CDC-T1-GE3
- 商品编号
- C145003
- 商品封装
- SMD-8P,3.2x1.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 255mΩ@2.5V,1.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个3000个/圆盘
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