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SI5513CDC-T1-GE3

N沟道+P沟道耐压:20V 电流:49A

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描述: N沟道+P沟道
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI5513CDC-T1-GE3
商品编号: C145003
商品封装: SMD-8P,3.2x1.6mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.075克(g)

商品参数

商品概述

采用无引脚1206-8封装的新型Vishay Siliconix ChipFET与常用的1206-8电阻器和电容器外形相同，但具备真正的功率半导体器件的所有性能。1206-8 ChipFET与LITTLE FOOT® TSOP-6封装主体的占位面积相同，从电路板面积可视化的角度来看，可将其视为无引脚的TSOP-6，但它的热性能可与更大尺寸的SO-8封装相媲美。

商品特性

符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准
TrenchFET功率MOSFET
100%进行Rg测试
符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

-便携式设备的负载开关-N沟道MOSFET-P沟道MOSFET

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	49A
	导通电阻(RDS(on))	255mΩ@2.5V
	耗散功率(Pd)	3.1W
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	3.6nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	285pF
	反向传输电容(Crss)	45pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	65pF