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SIRA18DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:33A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：DC/DC 转换。 电池保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA18DP-T1-GE3
- 商品编号
- C144962
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 14.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 287pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换
- 电池保护
- 负载开关
- DC/AC逆变器
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