IRL620PBF
1个N沟道 耐压:200V
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于功率耗散水平约为50W的所有商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRL620PBF
- 商品编号
- C144973
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@5.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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