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DG211BDQ-T1-E3

改进型四通道CMOS模拟开关

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描述: DG211B, DG212B 模拟开关是行业标准DG211，DG212的高度改进版本。这些TTL和CMOS兼容的逻辑设备采用Vishay Siliconix专有的硅栅CMOS工艺制造，具有更低的导通电阻、更低的泄漏电流、更高的速度和更低的功耗。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: DG211BDQ-T1-E3
商品编号: C144932
商品封装: TSSOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

商品概述

DG211B、DG212B模拟开关是行业标准DG211、DG212的高度改进版本。这些器件采用Vishay Siliconix专有的硅栅CMOS工艺制造，具有更低的导通电阻、更低的泄漏电流、更高的速度和更低的功耗。这些四通道单刀单掷开关适用于电信、仪器仪表、过程控制、计算机外设等多种应用。改进的电荷注入补偿设计可最大程度减少开关瞬变。DG211B和DG212B可承受高达±22 V的电压，连续电流额定值提高到30 mA。外延层可防止闩锁。所有器件在导通状态下均具有真正的双向性能，在关断状态下可将信号阻隔至电源电平。 DG211B是常闭开关，DG212B是常开开关。

商品特性

±22 V电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻 - RDS(ON)：50 Ω
低泄漏电流 - ID(ON)：20 pA
可单电源工作
扩展的温度范围
快速开关 - ton：120 ns
低电荷注入 - Q：1 pC

应用领域

工业仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
计算机外设
便携式仪器
采样保持电路

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	1:1
	通道数	4
	工作电压	4.5V~25V；4.5V~22V；-22V~-4.5V
	导通时间(ton)	300ns

	属性	参数值
	导通电阻(Ron)	45Ω
	关闭时间(toff)	200ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	导通电容(Con)	5pF