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SQ3427AEEV-T1_GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
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- 描述
- P沟道,-60V,-5.3A,0.095Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ3427AEEV-T1_GE3
- 商品编号
- C144943
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@4.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 典型ESD保护电压800 V
- 符合RoHS标准
- 无卤
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