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SI5419DU-T1-GE3实物图
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SI5419DU-T1-GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
P沟道,-30V,-12A,0.020Ω@-10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI5419DU-T1-GE3
商品编号
C144953
商品封装
PowerPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@4.5V,12A
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15.5nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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