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SUD09P10-195-GE3
1个P沟道 耐压:100V 电流:8.8A
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- 描述
- P沟道,-100V,-8.8A,0.195Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD09P10-195-GE3
- 商品编号
- C144960
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
- P沟道MOSFET
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